英特爾（Intel）與美光（Micron）開發出新一代儲存晶片，運算速度遠快於現有晶片，有助大幅提升智能手機、桌面電腦、筆記電腦及其他裝置的效能。
兩間公司周二在美國三藩市召開發佈會，新晶片名為「3D XPoint」，它們具「非揮發性」（non-volatile）的特性，意味它們可以在沒有電源的情況下儲存數據，可作為硬碟儲存數據之用。
「3D XPoint」比起目前大部份移動裝置採用的NAND Flash記憶體晶片，速度快1,000倍，儲存資料的密度也比DRAM（動態記憶體）晶片高10倍，被譽為科技帶來「重大突破」。
英特爾及美光表示，「3D XPoint」晶片是自NAND Flash上市以上，25年來首有新的主流儲存晶片，雖然惠普、Crossbar及Everspin Technologies等，都曾表示他們研發出類似技術的晶片，但英特爾及美光是少數有能力量產晶片的公司。
英特爾及美光暫未有公佈新晶片的價錢，但預計新晶片本年會在猶他州的合資廠房開始生產。
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